अवस्था-परिवर्तन स्मृति हेतु नैनो चैल्कोजेनाइड Se80In5Te6Sn9 की पतली फिल्म का संश्लेषण
DOI:
https://doi.org/10.66346/ev.v3i1.2026.2Keywords:
- चैल्कोजेनाइड पतली फिल्में, अवस्था-परिवर्तन, भौतिक वाष्प संघनन तकनीक
Abstract
समूह 16 तत्वों (S, Se, Te) को धातुओं के साथ मिलाकर बनाई गई चैल्कोजेनाइड पतली फिल्में, अपनी उच्च अवरक्त पारदर्शिता, समायोज्य बैंड अन्तराल, और तीव्र अवस्था-परिवर्तन गुणों के कारण इलेक्ट्रॉनिक्स, सौर सेल और फोटोनिक्स के लिए महत्वपूर्ण होती हैं। इस अध्ययन में Se80In5Te6Sn9 नैनो-चैल्कोजेनाइड की पतली फिल्म का संश्लेषण भौतिक वाष्प संघनन तकनीक (Physical Vapor Condensation Technique) से किया गया है। इस तकनीक में, प्रारंभ में कक्ष (Chamber) को 10⁻⁵ टॉर तक निर्वातित किया गया, जिसके बाद कक्ष में ५ टॉर कार्यशील दाब पर अक्रियाशील परिवेशी आर्गन गैस की आपूर्ति की गई। ग्लास सब्सट्रेट पर पतली फिल्मों के निक्षेपण के लिए, Se80In5Te6Sn9 ग्लास को मोलिब्डेनम नाव (boat) में रखा गया। सब्सट्रेट को ठंडा करने के लिए तरल नाइट्रोजन (77 K) का उपयोग किया गया। निक्षेपित फिल्मों की मोटाई २० नैनोमीटर है जिसे क्वार्ट्ज क्रिस्टल मोटाई मॉनिटर द्वारा मापा गया है। एक्स-रे विवर्तन से नमूनों की अनाकार प्रकृति की पुष्टि की गई । पतली फिल्मो के आकृति को समझने के लिए उच्च-रिज़ॉल्यूशन स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप तकनीकी का उपयोग किया गया है। संश्लेषित नैनो-चैल्कोजेनाइड फिल्मो के प्रकाशीय गुणधर्म को समझने के लिए UV/VIS/NIR स्पेक्ट्रोफोटोमीटर का उपयोग करके उनके प्रकाशीय अवशोषण गुणांक तथा प्रकाशीय बैंड अंतराल को मापा गया है। इन अध्ययनों के परिणाम यह सुझाव देते हैं कि ये फिल्मे अवस्था-परिवर्तन स्मृति उपकरणों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प हो सकती हैं।
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समूह 16 तत्वों (S, Se, Te) को धातुओं के साथ मिलाकर बनाई गई चैल्कोजेनाइड पतली फिल्में, अपनी उच्च अवरक्त पारदर्शिता, समायोज्य बैंड अन्तराल, और तीव्र अवस्था-परिवर्तन गुणों के कारण इलेक्ट्रॉनिक्स, सौर सेल और फोटोनिक्स के लिए महत्वपूर्ण होती हैं। इस अध्ययन में Se80In5Te6Sn9 नैनो-चैल्कोजेनाइड की पतली फिल्म का संश्लेषण भौतिक वाष्प संघनन तकनीक (Physical Vapor Condensation Technique) से किया गया है। इस तकनीक में, प्रारंभ में कक्ष (Chamber) को 10⁻⁵ टॉर तक निर्वातित किया गया, जिसके बाद कक्ष में ५ टॉर कार्यशील दाब पर अक्रियाशील परिवेशी आर्गन गैस की आपूर्ति की गई। ग्लास सब्सट्रेट पर पतली फिल्मों के निक्षेपण के लिए, Se80In5Te6Sn9 ग्लास को मोलिब्डेनम नाव (boat) में रखा गया। सब्सट्रेट को ठंडा करने के लिए तरल नाइट्रोजन (77 K) का उपयोग किया गया। निक्षेपित फिल्मों की मोटाई २० नैनोमीटर है जिसे क्वार्ट्ज क्रिस्टल मोटाई मॉनिटर द्वारा मापा गया है। एक्स-रे विवर्तन से नमूनों की अनाकार प्रकृति की पुष्टि की गई । पतली फिल्मो के आकृति को समझने के लिए उच्च-रिज़ॉल्यूशन स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप तकनीकी का उपयोग किया गया है। संश्लेषित नैनो-चैल्कोजेनाइड फिल्मो के प्रकाशीय गुणधर्म को समझने के लिए UV/VIS/NIR स्पेक्ट्रोफोटोमीटर का उपयोग करके उनके प्रकाशीय अवशोषण गुणांक तथा प्रकाशीय बैंड अंतराल को मापा गया है। इन अध्ययनों के परिणाम यह सुझाव देते हैं कि ये फिल्मे अवस्था-परिवर्तन स्मृति उपकरणों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प हो सकती हैं।
